王曦
王曦， 材料科学家。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。1966年8月生于上海，籍贯江苏南通。1987年毕业于清华大学工程物理系，1990年、1993年先后获中国科学院上海冶金研究所（现上海微系统与信息技术研究所）硕士、博士学位。现任中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长。2009年当选中国科学院院士。
长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并将研究成果应用于电子材料SOI（Silicon-on-insulator）的开发。在对离子注入SOI合成过程中的物理和化学过程研究基础上，自主开发了一系列将SOI材料技术产业化的关键技术，建立了我国SOI材料研发和生产基地。在载能离子束与固体相互作用以及离子束辅助薄膜沉积技术研究方面，揭示了载能离子作用下薄膜表面微结构、相组分、电子学、光学、生物学特性，实现了载能离子束薄膜生长的可控制性。曾获国家科技进步一等奖及何梁何利基金科学与技术进步奖等多项奖励。
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