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美国国籍，微纳电子科学家。1945年11月生于甘肃省兰州市。1974年获得美国耶鲁大学博士学位。现任美国耶鲁大学教授。2003年当选为美国工程院院士。 马佐平对金属/氧化物/半导体(MOS)的科学认知及技术发展，尤其是在MOS栅介质 (包括高介电常数的栅介质）的科技领域做出重要贡……[详细] |
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