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王占国，半导体材料物理学家。河南省镇平人。1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体所研究员。1995年当选为中国科学院院士。 早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同—缺……[详细] |
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