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郑有炓， 半导体材料与器件物理专家。1935年10月1日生于福建大田。1957年毕业于南京大学物理系。现任南京大学物理系教授。2003年当选为中国科学院院士。 从事新型半导体异质结构材料与器件研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法……[详细] |
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